Южнокорейская фирма Samsung Electronics затевает поставки первых высокоемких модулей своевременной памяти для серверных систем. Основным плюсом приборов считается высочайшая вместимость - размер всякого модуля сочиняет 32 Гб, а позиционируются прибора в раздел высокопроизводительных вычислительных станций.

Основой для серверной своевременной памяти стали интегральные микросхемы DRAM эталона DDR3, сделанные сообразно 40-нм научно-техническому процессу. Занимателен тот прецедент, будто скоро фирма Samsung Electronics задумывает перевести изготовка микросхем на 30-нм техпроцесс - произойдет наверное во 2-ой половине текущего года. На печатной плате модулей своевременной памяти разместились 30 6 интегральных DRAM-микросхем, размер всякой из каких сочиняет 4 Гбит.

При разработке двухпроцессорных серверных систем, спасибо высокой емкости представленных свежих релизов, разрешено определить в единой трудности 384 Гб памяти. В случае четырехпроцессорных систем размер своевременной памяти разрешено прирастить сходу по 2 Тб.

На этот эпизод деятель издаёт модули только в ограниченном численности. Однако теснее в последующем луне намечается сделать серийный выпуск продуктов.